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恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

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李蕾蕾, 刘红侠, 于宗光, 郝跃. 2006: 恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究, 物理学报, 55(5): 2459-2463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.057
引用本文: 李蕾蕾, 刘红侠, 于宗光, 郝跃. 2006: 恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究, 物理学报, 55(5): 2459-2463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.057
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Li Lei-Lei, Liu Hong-Xia, Yu Zong-Guang, Hao Yue. 2006: Degradation of tunnel oxide in E2PROM under constant current stress, Acta Physica Sinica, 55(5): 2459-2463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.057
Citation: Li Lei-Lei, Liu Hong-Xia, Yu Zong-Guang, Hao Yue. 2006: Degradation of tunnel oxide in E2PROM under constant current stress, Acta Physica Sinica, 55(5): 2459-2463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.057
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恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Degradation of tunnel oxide in E2PROM under constant current stress

  • 摘要: 在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-05-30

恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.

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