超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

李晶; 刘红侠; 郝跃

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

物理学报

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

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李晶, 刘红侠, 郝跃. 2006: 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应, 物理学报, 55(5): 2508-2512. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

引用本文:

李晶, 刘红侠, 郝跃. 2006: 超深亚微米PMOSFET的自愈合效应, 物理学报, 55(5): 2508-2512. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

Li Jing, Liu Hong-Xia, Hao Yue. 2006: Study on self-healing effect in ultra deep submicron PMOSFET's, Acta Physica Sinica, 55(5): 2508-2512. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

Citation:

Li Jing, Liu Hong-Xia, Hao Yue. 2006: Study on self-healing effect in ultra deep submicron PMOSFET's, Acta Physica Sinica, 55(5): 2508-2512. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.066

超深亚微米PMOSFET的自愈合效应

西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Study on self-healing effect in ultra deep submicron PMOSFET's

摘要: 主要研究负栅压偏置不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)效应中的自愈合效应,研究了器件阈值电压随着恢复时间和应力时间的恢复规律.研究表明器件的退化可以恢复是由于NBTI应力后界面态被氢钝化.
- 负偏置温度不稳定性效应 /
- 自愈合效应 /
- 应力时间 /
- PMOSFET