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射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

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卢肖, 吴传贵, 张万里, 李言荣. 2006: 射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究, 物理学报, 55(5): 2513-2517. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.067
引用本文: 卢肖, 吴传贵, 张万里, 李言荣. 2006: 射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究, 物理学报, 55(5): 2513-2517. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.067
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Lu Xiao, Wu Chuan-Gui, Zhang Wan-Li, Li Yan-Rong. 2006: Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering, Acta Physica Sinica, 55(5): 2513-2517. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.067
Citation: Lu Xiao, Wu Chuan-Gui, Zhang Wan-Li, Li Yan-Rong. 2006: Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering, Acta Physica Sinica, 55(5): 2513-2517. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.067
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射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

  • 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

Dielectric breakdown of BST thin films prepared by RF sputtering

  • 摘要: 采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态--初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-05-30

射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

  • 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

摘要: 采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态--初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.

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