一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

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施德恒, 孙金锋, 刘玉芳, 马恒, 朱遵略. 2006: 一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法, 物理学报, 55(8): 4096-4102. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.052
引用本文: 施德恒, 孙金锋, 刘玉芳, 马恒, 朱遵略. 2006: 一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法, 物理学报, 55(8): 4096-4102. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.052
Shi De-Heng, Sun Jin-Feng, Liu Yu-Fang, Ma Heng, Zhu Zun-Lue. 2006: A modification potential method for total cross section calculation of electron scattering by molecules at medium and high energies, Acta Physica Sinica, 55(8): 4096-4102. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.052
Citation: Shi De-Heng, Sun Jin-Feng, Liu Yu-Fang, Ma Heng, Zhu Zun-Lue. 2006: A modification potential method for total cross section calculation of electron scattering by molecules at medium and high energies, Acta Physica Sinica, 55(8): 4096-4102. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.052

一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

A modification potential method for total cross section calculation of electron scattering by molecules at medium and high energies

  • 摘要: 在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算"电子-分子"散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree-Fock波函数,使用这一修正过的复光学势,在30-5000 eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl,H2S,PH3和SiH4)散射的总截面进行了计算,并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得理论值与实验结果更为接近.因此在复光学势中采用本文提出的这一修正方法,可提高中、高能电子被分子散射的总截面的计算准确性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-08-30

一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

  • 河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007

摘要: 在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上,提出了一种能够在中、高能区准确计算"电子-分子"散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree-Fock波函数,使用这一修正过的复光学势,在30-5000 eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl,H2S,PH3和SiH4)散射的总截面进行了计算,并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明,利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算,所得理论值与实验结果更为接近.因此在复光学势中采用本文提出的这一修正方法,可提高中、高能电子被分子散射的总截面的计算准确性.

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