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Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

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戴佳钰, 张栋文, 袁建民. 2006: Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响, 物理学报, 55(11): 6073-6079. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.083
引用本文: 戴佳钰, 张栋文, 袁建民. 2006: Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响, 物理学报, 55(11): 6073-6079. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.083
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Dai Jia-Yu, Zhang Dong-Wen, Yuan Jian-Min. 2006: Reconfiguration of GaAs(110) surface with the adsorption of Xe atoms, Acta Physica Sinica, 55(11): 6073-6079. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.083
Citation: Dai Jia-Yu, Zhang Dong-Wen, Yuan Jian-Min. 2006: Reconfiguration of GaAs(110) surface with the adsorption of Xe atoms, Acta Physica Sinica, 55(11): 6073-6079. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.083
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Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

  • 国防科学技术大学物理系,长沙,410073

Reconfiguration of GaAs(110) surface with the adsorption of Xe atoms

  • 摘要: 基于第一性原理的自洽场密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),利用缀加平面波加局域轨道(APW+lo)近似方法,建立了五层层晶超原胞模型,模拟了GaAs(110)表面结构和单个Xe原子在其表面的吸附.利用牛顿动力学方法,对GaAs(110)表面原子构形的弛豫和Xe原子在GaAs(110)表面的吸附进行了计算.从三种不同的初始构形出发,即Xe原子分别在Ga原子的顶位,As原子的顶位以及桥位,都发现Xe原子位于桥位时体系能量最低.由此,认为Xe原子在GaAs(110)表面的吸附位置在桥位,并且发现吸附Xe原子后GaAs(110)表面有趋向于理想表面的趋势,表面重构现象趋于消失,表面原子间键长有一定的恢复,这与理论预言相符合.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

Xe原子吸附对GaAs(110)表面重构的影响

  • 国防科学技术大学物理系,长沙,410073

摘要: 基于第一性原理的自洽场密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),利用缀加平面波加局域轨道(APW+lo)近似方法,建立了五层层晶超原胞模型,模拟了GaAs(110)表面结构和单个Xe原子在其表面的吸附.利用牛顿动力学方法,对GaAs(110)表面原子构形的弛豫和Xe原子在GaAs(110)表面的吸附进行了计算.从三种不同的初始构形出发,即Xe原子分别在Ga原子的顶位,As原子的顶位以及桥位,都发现Xe原子位于桥位时体系能量最低.由此,认为Xe原子在GaAs(110)表面的吸附位置在桥位,并且发现吸附Xe原子后GaAs(110)表面有趋向于理想表面的趋势,表面重构现象趋于消失,表面原子间键长有一定的恢复,这与理论预言相符合.

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