高级搜索

氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王久敏, 陈坤基, 宋捷, 余林蔚, 吴良才, 李伟, 黄信凡. 2006: 氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储, 物理学报, 55(11): 6080-6084. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.084
引用本文: 王久敏, 陈坤基, 宋捷, 余林蔚, 吴良才, 李伟, 黄信凡. 2006: 氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储, 物理学报, 55(11): 6080-6084. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.084
shu
Wang Jiu-Min, Chen Kun-Ji, Song Jie, Yu Lin-Wei, Wu Liang-Cai, Li Wei, Huang Xin-Fan. 2006: Double-level charge storage in self-aligned doubly-stacked Si nanocrystals in SiNx dielectric, Acta Physica Sinica, 55(11): 6080-6084. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.084
Citation: Wang Jiu-Min, Chen Kun-Ji, Song Jie, Yu Lin-Wei, Wu Liang-Cai, Li Wei, Huang Xin-Fan. 2006: Double-level charge storage in self-aligned doubly-stacked Si nanocrystals in SiNx dielectric, Acta Physica Sinica, 55(11): 6080-6084. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.084
shu

氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

  • 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093

Double-level charge storage in self-aligned doubly-stacked Si nanocrystals in SiNx dielectric

  • 摘要: 研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  605
  • HTML全文浏览数:  252
  • PDF下载数:  21
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

氮化硅介质中双层纳米硅薄膜的两级电荷存储

  • 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093

摘要: 研究镶嵌在超薄非晶氮化硅(a-SiNx)层之间的双层纳米硅(nc-Si)的电荷存储现象.利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术在硅衬底上制备a-SiNx/a-Si/a-SiNx/a-Si/a-SiNx多层薄膜结构.采用常规热退火方法使非晶硅(a-Si)层晶化,形成包含双层nc-Si的金属-氮化物-半导体(MIS)结构.通过电容电压(C-V)特性测量,观测到该结构中由于电荷存储引起的C-V回滞现象,并在室温下成功观察到载流子基于Fowler-Nordheim(F-N)隧穿注入到第一层、第二层nc-Si的两级电荷存储状态.结合电流电压(I-V)特性的测量,对电荷存储的机理进行了深入分析.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回