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AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

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王冲, 冯倩, 郝跃, 万辉. 2006: AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究, 物理学报, 55(11): 6085-6089. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.085
引用本文: 王冲, 冯倩, 郝跃, 万辉. 2006: AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究, 物理学报, 55(11): 6085-6089. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.085
shu
Wang Chong, Feng Qian, Hao Yue, Wan Hui. 2006: Effect of pre-metallization processing and annealing on Ni/Au Schottky contacts in AlGaN/GaN heterostructures, Acta Physica Sinica, 55(11): 6085-6089. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.085
Citation: Wang Chong, Feng Qian, Hao Yue, Wan Hui. 2006: Effect of pre-metallization processing and annealing on Ni/Au Schottky contacts in AlGaN/GaN heterostructures, Acta Physica Sinica, 55(11): 6085-6089. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.085
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AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Effect of pre-metallization processing and annealing on Ni/Au Schottky contacts in AlGaN/GaN heterostructures

  • 摘要: 采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200-600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200-600℃5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.

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