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纳米MOSFET迁移率解析模型

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代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡媛. 2006: 纳米MOSFET迁移率解析模型, 物理学报, 55(11): 6090-6094. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086
引用本文: 代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡媛. 2006: 纳米MOSFET迁移率解析模型, 物理学报, 55(11): 6090-6094. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086
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Dai Yue-Hua, Chen Jun-Ning, Ke Dao-Ming, Sun Jia-E, Hu Yuan. 2006: An analytical model of mobility in nano-scaled n- MOSFETs, Acta Physica Sinica, 55(11): 6090-6094. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086
Citation: Dai Yue-Hua, Chen Jun-Ning, Ke Dao-Ming, Sun Jia-E, Hu Yuan. 2006: An analytical model of mobility in nano-scaled n- MOSFETs, Acta Physica Sinica, 55(11): 6090-6094. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.086
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纳米MOSFET迁移率解析模型

  • 安徽大学电子科学与技术学院,合肥,230039

An analytical model of mobility in nano-scaled n- MOSFETs

  • 摘要: 从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

纳米MOSFET迁移率解析模型

  • 安徽大学电子科学与技术学院,合肥,230039

摘要: 从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.

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