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大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

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赵淑云, 吴春亚, 刘召军, 李学冬, 王中, 孟志国, 熊绍珍, 张芳. 2006: 大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究, 物理学报, 55(11): 6095-6100. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.087
引用本文: 赵淑云, 吴春亚, 刘召军, 李学冬, 王中, 孟志国, 熊绍珍, 张芳. 2006: 大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究, 物理学报, 55(11): 6095-6100. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.087
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Zhao Shu-Yun, Wu Chun-Ya, Liu Zhao-Jun, Li Xue-Dong, Wang Zhong, Meng Zhi-Guo, Xiong Shao-Zhen, Zhang Fang. 2006: Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source, Acta Physica Sinica, 55(11): 6095-6100. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.087
Citation: Zhao Shu-Yun, Wu Chun-Ya, Liu Zhao-Jun, Li Xue-Dong, Wang Zhong, Meng Zhi-Guo, Xiong Shao-Zhen, Zhang Fang. 2006: Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source, Acta Physica Sinica, 55(11): 6095-6100. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.087
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大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

  • 南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071

  • 科技部高技术研究发展中心,北京,100044

Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source

  • 摘要: 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究

  • 南开大学光电子所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,教育部光电子信息科学与技术重点实验室,天津,300071
  • 科技部高技术研究发展中心,北京,100044

摘要: 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.

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