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InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算

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丁志博, 王琦, 王坤, 王欢, 陈田祥, 张国义, 姚淑德. 2007: InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算, 物理学报, 56(5): 2873-2877. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.067
引用本文: 丁志博, 王琦, 王坤, 王欢, 陈田祥, 张国义, 姚淑德. 2007: InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算, 物理学报, 56(5): 2873-2877. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.067
shu
Ding Zhi-Bo, Wang Qi, Wang Kun, Wang Huan, Chen Tian-Xiang, Zhang Guo-Yi, Yao Shu-De. 2007: Determination of chemical composition and average crystal lattice constants of InGaN/GaN multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 56(5): 2873-2877. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.067
Citation: Ding Zhi-Bo, Wang Qi, Wang Kun, Wang Huan, Chen Tian-Xiang, Zhang Guo-Yi, Yao Shu-De. 2007: Determination of chemical composition and average crystal lattice constants of InGaN/GaN multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 56(5): 2873-2877. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.067
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InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算

  • 北京大学物理学院,北京,100871

  • 宽禁带半导体研究中心,北京,100571

Determination of chemical composition and average crystal lattice constants of InGaN/GaN multiple quantum wells

  • 摘要: 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

InGaN/GaN多量子阱的组分确定和晶格常数计算

  • 北京大学物理学院,北京,100871
  • 宽禁带半导体研究中心,北京,100571

摘要: 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling),以及光致发光(PL)技术对InGaN/GaN多量子阱结构薄膜分别进行了平均晶格常数计算、In原子替位率计算和In组分的定量分析.研究表明:InGaN/GaN多量子阱的水平和垂直方向平均晶格常数分别为aepi=0.3195 nm,cpei=0.5198 nm,In原子的替位率为99.3%,利用HRXRD和RBS/channeling两种分析技术计算In的组分分别是0.023和0.026,并与样品生长时设定的预期目标相符合,验证了两种实验方法的准确性;而用室温条件下的光致发光谱(PL)来计算InGaN/GaN多量子阱中In的组分是与HRXRD和RBS/channeling的实验结果相差很大,说明用PL测试In组分的方法是不适宜的.

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