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变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

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越方禹, 邵军, 魏彦峰, 吕翔, 黄炜, 杨建荣, 褚君浩. 2007: 变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级, 物理学报, 56(5): 2878-2881. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.068
引用本文: 越方禹, 邵军, 魏彦峰, 吕翔, 黄炜, 杨建荣, 褚君浩. 2007: 变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级, 物理学报, 56(5): 2878-2881. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.068
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Yue Fang-Yu, Shao Jun, Wei Yan-Feng, Lü Xiang, Huang Wei, Yang Jian-Rong, Chu Jun-Hao. 2007: Temperature-dependent absorption spectra investigation of shallow levels in HgCdTe grown by liquid phase epitaxy, Acta Physica Sinica, 56(5): 2878-2881. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.068
Citation: Yue Fang-Yu, Shao Jun, Wei Yan-Feng, Lü Xiang, Huang Wei, Yang Jian-Rong, Chu Jun-Hao. 2007: Temperature-dependent absorption spectra investigation of shallow levels in HgCdTe grown by liquid phase epitaxy, Acta Physica Sinica, 56(5): 2878-2881. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.068
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变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所先进材料与器件研究中心,上海,200083

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITP联合实验室,上海,200062

Temperature-dependent absorption spectra investigation of shallow levels in HgCdTe grown by liquid phase epitaxy

  • 摘要: 利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 中国科学院上海技术物理研究所先进材料与器件研究中心,上海,200083
  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITP联合实验室,上海,200062

摘要: 利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.

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