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高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

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郭亮良, 冯倩, 郝跃, 杨燕. 2007: 高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析, 物理学报, 56(5): 2895-2899. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.071
引用本文: 郭亮良, 冯倩, 郝跃, 杨燕. 2007: 高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析, 物理学报, 56(5): 2895-2899. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.071
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Guo Liang-Liang, Feng Qian, Hao Yue, Yang Yan. 2007: Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT, Acta Physica Sinica, 56(5): 2895-2899. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.071
Citation: Guo Liang-Liang, Feng Qian, Hao Yue, Yang Yan. 2007: Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT, Acta Physica Sinica, 56(5): 2895-2899. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.071
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高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

  • 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT

  • 摘要: 就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V提高到了142 V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

高击穿电压的AIGaN/GaN FP-HEMT研究与分析

  • 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V提高到了142 V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

English Abstract

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