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GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

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郭亮良, 冯倩, 马香柏, 郝跃, 刘杰. 2007: GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系, 物理学报, 56(5): 2900-2904. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.072
引用本文: 郭亮良, 冯倩, 马香柏, 郝跃, 刘杰. 2007: GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系, 物理学报, 56(5): 2900-2904. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.072
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Guo Liang-Liang, Feng Qian, Ma Xiang-Bai, Hao Yue, Liu Jie. 2007: Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs, Acta Physica Sinica, 56(5): 2900-2904. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.072
Citation: Guo Liang-Liang, Feng Qian, Ma Xiang-Bai, Hao Yue, Liu Jie. 2007: Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs, Acta Physica Sinica, 56(5): 2900-2904. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.072
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GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

  • 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Relation between breakdown voltage and current collapse in GaN FP-HEMTs

  • 摘要: 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148 V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着.比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系

  • 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148 V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着.比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.

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