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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质

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包志华, 景为平, 罗向东, 谭平恒. 2007: 显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质, 物理学报, 56(7): 4213-4217. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.095
引用本文: 包志华, 景为平, 罗向东, 谭平恒. 2007: 显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质, 物理学报, 56(7): 4213-4217. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.095
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Bao Zhi-Hua, Jing Wei-Ping, Luo Xiang-Dong, Tan Ping-Heng. 2007: Optical properties of the E0+△0 energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique, Acta Physica Sinica, 56(7): 4213-4217. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.095
Citation: Bao Zhi-Hua, Jing Wei-Ping, Luo Xiang-Dong, Tan Ping-Heng. 2007: Optical properties of the E0+△0 energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique, Acta Physica Sinica, 56(7): 4213-4217. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.095
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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质

  • 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007

  • 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083

Optical properties of the E0+△0 energy level higher than the bandgap of GaAs studied by micro-photoluminescence technique

  • 摘要: 通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+△0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+△0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+△0能级与带边E0共享了共同的导带位置Г6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+△0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+△0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质

  • 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007
  • 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,南通,226007;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083

摘要: 通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+△0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+△0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+△0能级与带边E0共享了共同的导带位置Г6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+△0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+△0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.

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