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蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

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苑进社, 陈光德. 2007: 蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究, 物理学报, 56(7): 4218-4223. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.096
引用本文: 苑进社, 陈光德. 2007: 蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究, 物理学报, 56(7): 4218-4223. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.096
shu
Yuan Jin-She, Chen Guang-De. 2007: Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE, Acta Physica Sinica, 56(7): 4218-4223. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.096
Citation: Yuan Jin-She, Chen Guang-De. 2007: Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE, Acta Physica Sinica, 56(7): 4218-4223. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.096
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蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

  • 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047;西安交通大学理学院,西安,710048

  • 西安交通大学理学院,西安,710048

Instantaneous relaxation of photoconductivity in GaN film grown on vicinal sapphire substrate by MBE

  • 摘要: 在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5 ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14 ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究

  • 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047;西安交通大学理学院,西安,710048
  • 西安交通大学理学院,西安,710048

摘要: 在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5 ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14 ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级.

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