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有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究

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李训栓, 彭应全, 杨青森, 刑宏伟, 路飞平. 2007: 有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究, 物理学报, 56(9): 5441-5445. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.076
引用本文: 李训栓, 彭应全, 杨青森, 刑宏伟, 路飞平. 2007: 有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究, 物理学报, 56(9): 5441-5445. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.076
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Li Xun-Shuan, Peng Ying-Quan, Yang Qing-Sen, Xing Hong-Wei, Lu Fei-Ping. 2007: Analytical model of charge transport at organic semiconductor interfaces, Acta Physica Sinica, 56(9): 5441-5445. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.076
Citation: Li Xun-Shuan, Peng Ying-Quan, Yang Qing-Sen, Xing Hong-Wei, Lu Fei-Ping. 2007: Analytical model of charge transport at organic semiconductor interfaces, Acta Physica Sinica, 56(9): 5441-5445. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.076
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有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

Analytical model of charge transport at organic semiconductor interfaces

  • 摘要: 有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定,但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同,建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算.
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出版历程

有机半导体异质界面电荷传输解析模型研究

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

摘要: 有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定,但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同,建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算.

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