SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

郑中山; 张恩霞; 刘忠立; 张正选; 李宁; 李国花

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.077

物理学报

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

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郑中山, 张恩霞, 刘忠立, 张正选, 李宁, 李国花. 2007: SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响, 物理学报, 56(9): 5446-5451. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.077

引用本文:

Zheng Zhong-Shan, Zhang En-Xia, Liu Zhong-Li, Zhang Zheng-Xuan, Li Ning, Li Guo-Hua. 2007: Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density, Acta Physica Sinica, 56(9): 5446-5451. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.077

Citation:

Zheng Zhong-Shan, Zhang En-Xia, Liu Zhong-Li, Zhang Zheng-Xuan, Li Ning, Li Guo-Hua. 2007: Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density, Acta Physica Sinica, 56(9): 5446-5451. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.09.077

SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

济南大学物理系,济南,250022;中国科学院半导体研究所,北京,100083
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
中国科学院半导体研究所,北京,100083

Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density

摘要: 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375 nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.
- SIMOX /
- 埋氧 /
- 注氮 /
- 固定正电荷密度

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SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响

济南大学物理系,济南,250022;中国科学院半导体研究所,北京,100083
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
中国科学院半导体研究所,北京,100083

关键词:

SIMOX /
埋氧 /
注氮 /
固定正电荷密度

摘要: 在SIMOX SOI材料的埋氧中注氮是为了增强该类材料的抗辐射能力.通过C-V研究表明,对于埋氧层为150 nm的SIMOX SOI材料来说,当在其埋氧中注入4×1015cm-2剂量的氮后,与未注氮埋氧相比,注氮埋氧中的固定正电荷密度显著增加了;而对于埋氧层为375 nm的SIMOX SOI材料来说,当注氮剂量分别为2×1015cm-2和3×1015cm-2时,并未发现埋氧中固定正电荷密度的增加.所有SIMOX注氮后的退火条件是完全相同的.通过SIMS分析,将薄埋氧中固定正电荷密度的增加归结为注氮后的退火所引起的氮在埋氧与Si界面附近的积累.同时还发现,未注氮埋氧中的固定正电荷密度是非常小的.这意味着通常情况下在热生长SiO2膜中大量存在的氧化物电荷,其数量在SIMOX埋氧中则要相对少得多.