高级搜索

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲. 2008: 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究, 物理学报, 57(1): 472-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.075
引用本文: 沈光地, 张剑铭, 邹德恕, 徐晨, 顾晓玲. 2008: 大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究, 物理学报, 57(1): 472-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.075
shu
Shen Guang-Di, Zhang Jian-Ming, Zou De-Shu, Xu Chen, Gu Xiao-Ling. 2008: Research on effects of current spreading and optimized contact scheme for high-power GaN-based light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 57(1): 472-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.075
Citation: Shen Guang-Di, Zhang Jian-Ming, Zou De-Shu, Xu Chen, Gu Xiao-Ling. 2008: Research on effects of current spreading and optimized contact scheme for high-power GaN-based light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 57(1): 472-476. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.075
shu

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022

Research on effects of current spreading and optimized contact scheme for high-power GaN-based light-emitting diodes

  • 摘要: 定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  752
  • HTML全文浏览数:  64
  • PDF下载数:  141
  • 施引文献:  0
出版历程

大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究

  • 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京,100022

摘要: 定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发现具有优化的环形插指电极结构的GaN基大功率LED表面温度分布比较均匀,证明芯片接触处电流扩展均匀,局部电流密度降低,减小了焦耳热的产生,增强了器件的可靠性.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回