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硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

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熊传兵, 江风益, 方文卿, 王立, 莫春兰. 2008: 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究, 物理学报, 57(5): 3176-3181. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.088
引用本文: 熊传兵, 江风益, 方文卿, 王立, 莫春兰. 2008: 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究, 物理学报, 57(5): 3176-3181. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.088
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Xiong Chuan-Bing, Jiang Feng-Yi, Fang Wen-Qing, Wang Li, Mo Chun-Lan. 2008: Change in stress of GaN light-emitting diode films during the process of transferring the film from the Si (111) growth substrate to new substrate, Acta Physica Sinica, 57(5): 3176-3181. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.088
Citation: Xiong Chuan-Bing, Jiang Feng-Yi, Fang Wen-Qing, Wang Li, Mo Chun-Lan. 2008: Change in stress of GaN light-emitting diode films during the process of transferring the film from the Si (111) growth substrate to new substrate, Acta Physica Sinica, 57(5): 3176-3181. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.088
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硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330096

Change in stress of GaN light-emitting diode films during the process of transferring the film from the Si (111) growth substrate to new substrate

  • 摘要: 利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的lnGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.
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出版历程

硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究

  • 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌,330096

摘要: 利用外延片压焊和湿法腐蚀技术将硅衬底上生长的lnGaN多量子阱发光二极管(LED)薄膜材料转移到了新衬底上.研究结果表明,转移后的LED薄膜中GaN层受到的张应力变小,InGaN层受的压应力变大.去除转移后LED薄膜中过渡层后,GaN层受到的张应力变大,而铟镓氮层受到的压应力基本不变.将转移后的薄膜做成垂直结构的LED芯片后,其光电性能明显改善.

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