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n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

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韩茹, 杨银堂, 柴常春. 2008: n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究, 物理学报, 57(5): 3182-3187. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.089
引用本文: 韩茹, 杨银堂, 柴常春. 2008: n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究, 物理学报, 57(5): 3182-3187. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.089
shu
Han Ru, Yang Yin-Tang, Chai Chang-Chun. 2008: Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC, Acta Physica Sinica, 57(5): 3182-3187. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.089
Citation: Han Ru, Yang Yin-Tang, Chai Chang-Chun. 2008: Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC, Acta Physica Sinica, 57(5): 3182-3187. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.089
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n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC

  • 摘要: 研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小.514.5nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明,k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条,4H-SiC中有二条;高频630.3及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关.最后,利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6H-及4H-SiC二级拉曼谱.
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出版历程

n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱.理论线形分析表明,与4H-SiC相比,6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小.514.5nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明,k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条,4H-SiC中有二条;高频630.3及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关.最后,利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6H-及4H-SiC二级拉曼谱.

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