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a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

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赵雷, 周春兰, 李海玲, 刁宏伟, 王文静. 2008: a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化, 物理学报, 57(5): 3212-3218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.094
引用本文: 赵雷, 周春兰, 李海玲, 刁宏伟, 王文静. 2008: a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化, 物理学报, 57(5): 3212-3218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.094
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Zhao Lei, Zhou Chun-Lan, Li Hai-Ling, Diao Hong-Wei, Wang Wen-Jing. 2008: Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation, Acta Physica Sinica, 57(5): 3212-3218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.094
Citation: Zhao Lei, Zhou Chun-Lan, Li Hai-Ling, Diao Hong-Wei, Wang Wen-Jing. 2008: Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation, Acta Physica Sinica, 57(5): 3212-3218. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.094
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a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

  • 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室,北京,100080

Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation

  • 摘要: 采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙1.6eV,硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料,其最佳厚度在5nm左右.这种背场从工艺上易于实现,并且,与常用的Al扩散背场相比,在相同的掺杂浓度下,电池效率可以大大提高.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

a-Si(n)/c-Si(P)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

  • 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究室,北京,100080

摘要: 采用AFORS-HET数值模拟软件,对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟,分析了影响背场效果的原因,得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙1.6eV,硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料,其最佳厚度在5nm左右.这种背场从工艺上易于实现,并且,与常用的Al扩散背场相比,在相同的掺杂浓度下,电池效率可以大大提高.

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