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低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程

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李维勤, 张海波. 2008: 低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程, 物理学报, 57(5): 3219-3229. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.095
引用本文: 李维勤, 张海波. 2008: 低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程, 物理学报, 57(5): 3219-3229. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.095
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Li Wei-Qin, Zhang Hai-Bo. 2008: Negative charging process of a grounded insulating thin film under low-energy electron beam irradiation, Acta Physica Sinica, 57(5): 3219-3229. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.095
Citation: Li Wei-Qin, Zhang Hai-Bo. 2008: Negative charging process of a grounded insulating thin film under low-energy electron beam irradiation, Acta Physica Sinica, 57(5): 3219-3229. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.095
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低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程

  • 西安交通大学电子科学与技术系教育部电子物理与器件重点实验室,西安,710049

Negative charging process of a grounded insulating thin film under low-energy electron beam irradiation

  • 摘要: 为揭示低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程及其机理,建立了同时考虑电子散射与电子输运的计算模型,综合Monte Carlo方法和有限差分法进行了数值模拟,获得了内部空间电荷、泄漏电流和表面电位随电子束照射的演化规律.结果表明,入射电子因迁移、扩散效应会超越通常的散射区域产生负空间电荷分布,并经过一定的渡越时间后到达接地基板,形成泄漏电流,负带电暂态过程则随着泄漏电流的增加而趋于平衡.在平衡状态下.泄漏电流随电子束能量和电流而增大;薄膜净负电荷量和表面电位随膜厚而增加、随电子迁移率的增大而降低,随着电子束能量的变化均会出现最大值.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程

  • 西安交通大学电子科学与技术系教育部电子物理与器件重点实验室,西安,710049

摘要: 为揭示低能电子束照射接地绝缘薄膜的负带电过程及其机理,建立了同时考虑电子散射与电子输运的计算模型,综合Monte Carlo方法和有限差分法进行了数值模拟,获得了内部空间电荷、泄漏电流和表面电位随电子束照射的演化规律.结果表明,入射电子因迁移、扩散效应会超越通常的散射区域产生负空间电荷分布,并经过一定的渡越时间后到达接地基板,形成泄漏电流,负带电暂态过程则随着泄漏电流的增加而趋于平衡.在平衡状态下.泄漏电流随电子束能量和电流而增大;薄膜净负电荷量和表面电位随膜厚而增加、随电子迁移率的增大而降低,随着电子束能量的变化均会出现最大值.

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