高级搜索

低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

奚光平, 马向阳, 田达晰, 曾俞衡, 宫龙飞, 杨德仁. 2008: 低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用, 物理学报, 57(11): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.064
引用本文: 奚光平, 马向阳, 田达晰, 曾俞衡, 宫龙飞, 杨德仁. 2008: 低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用, 物理学报, 57(11): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.064
shu
Xi Guang-Ping, Ma Xiang-Yang, Tian Da-Xi, Zeng Yu-Heng, Gong Long-Fei, Yang De-Ren. 2008: Effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped Czochralski silicon, Acta Physica Sinica, 57(11): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.064
Citation: Xi Guang-Ping, Ma Xiang-Yang, Tian Da-Xi, Zeng Yu-Heng, Gong Long-Fei, Yang De-Ren. 2008: Effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped Czochralski silicon, Acta Physica Sinica, 57(11): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.064
shu

低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

  • 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

  • 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;宁波立立电子股份有限公司,宁波,315800

  • 宁波立立电子股份有限公司,宁波,315800

Effects of low-temperature annealing on oxygen precipitate nucleation in heavily arsenic-doped Czochralski silicon

  • 摘要: 通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450-800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  398
  • HTML全文浏览数:  55
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

低温退火对重掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用

  • 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;宁波立立电子股份有限公司,宁波,315800
  • 宁波立立电子股份有限公司,宁波,315800

摘要: 通过对比研究重掺砷直拉硅片和轻掺n型直拉硅片经过低温(450-800℃)和高温(1000℃)两步退火的氧沉淀行为,阐明了低温退火对重掺掺砷直拉硅片的氧沉淀形核的作用.研究指出:重掺砷硅片在450℃和650℃退火时的氧沉淀形核比在800℃退火时更显著,这与轻掺硅片的情况截然相反;此外,与轻掺硅片相比,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时氧沉淀的形核得到增强,而在800℃退火时氧沉淀的形核受到抑制.分析认为,重掺砷硅片在450℃和650℃退火时会形成砷-空位-氧(As-V-O)复合体,它们促进了氧沉淀的形核;而在800℃退火时As-V-O复合体不能稳定的存在而缺少氧沉淀形核的前驱体,并且重掺砷会导致硅晶体中的晶格压应力,因此氧沉淀形核被显著地抑制.实验还表明,在重掺砷硅片中掺入氮杂质可以促进低温退火时的氧沉淀形核,这种促进作用在800℃退火时表现得更加明显,这与氮引入的异质形核中心有关.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回