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氢化硅薄膜的晶化机理研究

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李世彬, 吴志明, 李伟, 于军胜, 蒋亚东, 廖乃镘. 2008: 氢化硅薄膜的晶化机理研究, 物理学报, 57(11): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.065
引用本文: 李世彬, 吴志明, 李伟, 于军胜, 蒋亚东, 廖乃镘. 2008: 氢化硅薄膜的晶化机理研究, 物理学报, 57(11): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.065
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Li Shi-Bin, Wu Zhi-Ming, Li Wei, Yu Jun-Sheng, Jiang Ya-Dong, Liao Nai-Man. 2008: Study on crystallization mechanism of hydrogenated silicon film, Acta Physica Sinica, 57(11): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.065
Citation: Li Shi-Bin, Wu Zhi-Ming, Li Wei, Yu Jun-Sheng, Jiang Ya-Dong, Liao Nai-Man. 2008: Study on crystallization mechanism of hydrogenated silicon film, Acta Physica Sinica, 57(11): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.065
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氢化硅薄膜的晶化机理研究

  • 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

Study on crystallization mechanism of hydrogenated silicon film

  • 摘要: 采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论模型研究了热梯度对微晶和多形硅薄膜沉积机理的影响.研究薄膜厚度对晶化率的影响表明微晶薄膜底端和表面之间存在晶化梯度,而多形硅薄膜中无晶化梯度存在.采用Tauc-Lorentz模型拟合得到薄膜的结构参数表明非晶硅薄膜的致密度和有序度低,而多形硅和微晶硅薄膜的有序度、致密度相近,且明显高于非晶硅.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

氢化硅薄膜的晶化机理研究

  • 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

摘要: 采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论模型研究了热梯度对微晶和多形硅薄膜沉积机理的影响.研究薄膜厚度对晶化率的影响表明微晶薄膜底端和表面之间存在晶化梯度,而多形硅薄膜中无晶化梯度存在.采用Tauc-Lorentz模型拟合得到薄膜的结构参数表明非晶硅薄膜的致密度和有序度低,而多形硅和微晶硅薄膜的有序度、致密度相近,且明显高于非晶硅.

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