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基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

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李洪涛, 罗毅, 席光义, 汪莱, 江洋, 赵维, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征. 2008: 基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量, 物理学报, 57(11): 7119-7125. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.066
引用本文: 李洪涛, 罗毅, 席光义, 汪莱, 江洋, 赵维, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征. 2008: 基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量, 物理学报, 57(11): 7119-7125. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.066
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Li Hong-Tao, Luo Yi, Xi Guang-Yi, Wang Lai, Jiang Yang, Zhao Wei, Han Yan-Jun, Hao Zhi-Biao, Sun Chang-Zheng. 2008: Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction, Acta Physica Sinica, 57(11): 7119-7125. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.066
Citation: Li Hong-Tao, Luo Yi, Xi Guang-Yi, Wang Lai, Jiang Yang, Zhao Wei, Han Yan-Jun, Hao Zhi-Biao, Sun Chang-Zheng. 2008: Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction, Acta Physica Sinica, 57(11): 7119-7125. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.11.066
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基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

  • 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京,100084

Thickness measurement of GaN films by X-ray diffraction

  • 摘要: 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7-4.2 μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-11-30

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

  • 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京,100084

摘要: 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7-4.2 μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.

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