高级搜索

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

张淑平, 杨泽超, 彭亚晶, 王英慧, 刘玉强, 杨延强. 2009: Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究, 物理学报, 58(1): 518-522. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.081
引用本文: 张淑平, 杨泽超, 彭亚晶, 王英慧, 刘玉强, 杨延强. 2009: Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究, 物理学报, 58(1): 518-522. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.081
shu
Zhang Shu-Ping, Yang Ze-Chao, Peng Ya-Jing, Wang Ying-Hui, Liu Yu-Qiang, Yang Yan-Qiang. 2009: Charge-carrier transport properties of blend film of Alq3 and CdSeS quantum dot, Acta Physica Sinica, 58(1): 518-522. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.081
Citation: Zhang Shu-Ping, Yang Ze-Chao, Peng Ya-Jing, Wang Ying-Hui, Liu Yu-Qiang, Yang Yan-Qiang. 2009: Charge-carrier transport properties of blend film of Alq3 and CdSeS quantum dot, Acta Physica Sinica, 58(1): 518-522. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.081
shu

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

  • 哈尔滨工业大学物理系凝聚态科学与技术研究中心,哈尔滨,150001

Charge-carrier transport properties of blend film of Alq3 and CdSeS quantum dot

  • 摘要: 利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdseS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq3和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  359
  • HTML全文浏览数:  80
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

Alq3和CdSeS量子点掺杂体系的载流子输运性质的研究

  • 哈尔滨工业大学物理系凝聚态科学与技术研究中心,哈尔滨,150001

摘要: 利用飞行时间法(time-of-flight)测定了有机小分子发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)与CdseS量子点掺杂体系的载流子迁移率.研究了Alq3和CdSeS混合薄膜的载流子迁移率与外加电场强度和量子点浓度的变化关系.研究结果表明,CdSeS量子点的掺杂浓度的增加会引起薄膜样品位置无序的增加.除此之外,Alq3和CdSeS量子点界面之间的电荷转移作用,以及在量子点之间进行跳跃传输的电子数量都会改变样品的载流子迁移率.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回