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ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

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李盛涛, 成鹏飞, 赵雷, 李建英. 2009: ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究, 物理学报, 58(1): 523-528. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082
引用本文: 李盛涛, 成鹏飞, 赵雷, 李建英. 2009: ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究, 物理学报, 58(1): 523-528. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082
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Li Sheng-Tao, Cheng Peng-Fei, Zhao Lei, Li Jian-Ying. 2009: Study of intrinsic defects in ZnO varistor ceramics by dielectric spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(1): 523-528. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082
Citation: Li Sheng-Tao, Cheng Peng-Fei, Zhao Lei, Li Jian-Ying. 2009: Study of intrinsic defects in ZnO varistor ceramics by dielectric spectroscopy, Acta Physica Sinica, 58(1): 523-528. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.082
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ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

  • 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

  • 西安工程大学理学院,西安,710048

Study of intrinsic defects in ZnO varistor ceramics by dielectric spectroscopy

  • 摘要: 从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105 Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130-20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105 Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或,和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-01-30

ZnO压敏陶瓷中缺陷的介电谱研究

  • 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049
  • 西安工程大学理学院,西安,710048

摘要: 从理论上证明了介电松弛过程在介电谱上等效于电子松弛过程,认为室温下105 Hz处特征损耗峰起源于耗尽层处本征缺陷所形成的电子陷阱.在-130-20℃范围内测量了三种配方ZnO陶瓷的介电频谱,发现ZnO压敏陶瓷室温下105 Hz处的特征损耗峰在低温下分裂为两个特征峰,认为它们起源于耗尽层中的本征缺陷(锌填隙或,和氧空位)的电子松弛过程.发现ZnO-Bi2O3二元系陶瓷特征峰仅仅由锌填隙引起,而ZnO-Bi2O3六元系压敏陶瓷特征峰则由锌填隙和氧空位共同引起.分析了热处理温度和气氛对试样介电谱的影响,发现锌填隙浓度对热处理温度更敏感,而氧空位浓度对热处理气氛更敏感.

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