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Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

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张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉. 2009: Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应, 物理学报, 58(4): 2737-2741. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.096
引用本文: 张林, 张义门, 张玉明, 韩超, 马永吉. 2009: Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应, 物理学报, 58(4): 2737-2741. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.096
shu
Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, Ma Yong-Ji. 2009: Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD, Acta Physica Sinica, 58(4): 2737-2741. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.096
Citation: Zhang Lin, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Han Chao, Ma Yong-Ji. 2009: Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD, Acta Physica Sinica, 58(4): 2737-2741. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.096
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Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  • 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071

Gamma-ray radiation effect on Ni/4H-SiC SBD

  • 摘要: 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30 V偏压.经过1 Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-04-30

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  • 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安,710071

摘要: 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30 V偏压.经过1 Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.

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