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InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

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李为军, 张波, 徐文兰, 陆卫. 2009: InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析, 物理学报, 58(5): 3421-3426. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.085
引用本文: 李为军, 张波, 徐文兰, 陆卫. 2009: InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析, 物理学报, 58(5): 3421-3426. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.085
shu
Li Wei-Jun, Zhang Bo, Xu Wen-Lan, Lu Wei. 2009: Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 58(5): 3421-3426. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.085
Citation: Li Wei-Jun, Zhang Bo, Xu Wen-Lan, Lu Wei. 2009: Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes, Acta Physica Sinica, 58(5): 3421-3426. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.085
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InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

  • 华东师范大学信息科学技术学院,上海,200062

Experimental and theoretical study of blue InGaN/GaN multiple quantum well blue light-emitting diodes

  • 摘要: 分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

InGaN/GaN多量子阱蓝色发光二极管的实验与模拟分析

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
  • 华东师范大学信息科学技术学院,上海,200062

摘要: 分别采用量子阱模型和量子点模型对蓝色InGaN/GaN多量子阱发光二极管电学和光学特性进行模拟,并和实验测量结果进行了比对,结果发现,量子点模型的引入,很好地解决了I-V和电致发光二方面的实验与理论模型间符合程度不好的问题.同时,在I-V曲线特性模拟中发现,在量子点理论模型的基础上,只有考虑到载流子的非平衡量子传输效应,才能得到和实验相接近的I-V曲线,揭示着在InGaN/GaN 多量子阱发光二极管电输运特性中,载流子的非平衡量子传输效应扮演重要角色.

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