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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

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许军, 黄宇健, 丁士进, 张卫. 2009: Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响, 物理学报, 58(5): 3433-3436. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.087
引用本文: 许军, 黄宇健, 丁士进, 张卫. 2009: Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响, 物理学报, 58(5): 3433-3436. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.087
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Xu Jun, Huang Yu-Jian, Ding Shi-Jin, Zhang Wei. 2009: Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric, Acta Physica Sinica, 58(5): 3433-3436. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.087
Citation: Xu Jun, Huang Yu-Jian, Ding Shi-Jin, Zhang Wei. 2009: Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric, Acta Physica Sinica, 58(5): 3433-3436. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.087
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Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

  • 专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433

Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric

  • 摘要: 以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-05-30

Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响

  • 专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433

摘要: 以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.

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