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基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

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陈焕庭, 吕毅军, 陈忠, 张海兵, 高玉琳, 陈国龙. 2009: 基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理, 物理学报, 58(8): 5700-5704. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.087
引用本文: 陈焕庭, 吕毅军, 陈忠, 张海兵, 高玉琳, 陈国龙. 2009: 基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理, 物理学报, 58(8): 5700-5704. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.087
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Chen Huan-Ting, Lu Yi-Jun, Chen Zhong, Zhang Hai-Bing, Gao Yu-Lin, Chen Guo-Long. 2009: Analysis of degradation mechanism of GaN blue light emitting diode by the characteristics of capacitance and conductance, Acta Physica Sinica, 58(8): 5700-5704. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.087
Citation: Chen Huan-Ting, Lu Yi-Jun, Chen Zhong, Zhang Hai-Bing, Gao Yu-Lin, Chen Guo-Long. 2009: Analysis of degradation mechanism of GaN blue light emitting diode by the characteristics of capacitance and conductance, Acta Physica Sinica, 58(8): 5700-5704. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.087
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基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

  • 厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,厦门,361005

Analysis of degradation mechanism of GaN blue light emitting diode by the characteristics of capacitance and conductance

  • 摘要: 采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2 V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.
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出版历程

基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

  • 厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,厦门,361005

摘要: 采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2 V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.

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