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金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

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许晟瑞, 张进城, 李志明, 周小伟, 许志豪, 赵广才, 朱庆伟, 张金凤, 毛维, 郝跃. 2009: 金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究, 物理学报, 58(8): 5705-5708. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.088
引用本文: 许晟瑞, 张进城, 李志明, 周小伟, 许志豪, 赵广才, 朱庆伟, 张金凤, 毛维, 郝跃. 2009: 金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究, 物理学报, 58(8): 5705-5708. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.088
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Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, Li Zhi-Ming, Zhou Xiao-Wei, Xu Zhi-Hao, Zhao Guang-Cai, Zhu Qing-Wei, Zhang Jin-Feng, Mao Wei, Hao Yue. 2009: The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 58(8): 5705-5708. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.088
Citation: Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, Li Zhi-Ming, Zhou Xiao-Wei, Xu Zhi-Hao, Zhao Guang-Cai, Zhu Qing-Wei, Zhang Jin-Feng, Mao Wei, Hao Yue. 2009: The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 58(8): 5705-5708. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.08.088
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金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

The triangular pits eliminate of(11-20)a-plane GaN growth by metal-orgamic chemical vapor deposition

  • 摘要: 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-08-30

金属有机物化学气相沉积生长的a(11-20)面GaN三角坑缺陷的消除研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(11-20)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.

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