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利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

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段宝兴, 杨银堂. 2009: 利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移, 物理学报, 58(10): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.073
引用本文: 段宝兴, 杨银堂. 2009: 利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移, 物理学报, 58(10): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.073
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Duan Bao-Xing, Yang Yin-Tang. 2009: Calculation of Raman shifts of Si(1-χ)Geχ and amorphous silicon using Keating model, Acta Physica Sinica, 58(10): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.073
Citation: Duan Bao-Xing, Yang Yin-Tang. 2009: Calculation of Raman shifts of Si(1-χ)Geχ and amorphous silicon using Keating model, Acta Physica Sinica, 58(10): 7114-7118. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.073
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利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Calculation of Raman shifts of Si(1-χ)Geχ and amorphous silicon using Keating model

  • 摘要: 利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029 cm-1,与文献实验结果480.0 cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

利用Keating模型计算Si(1-χ)Geχ及非晶硅的拉曼频移

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 利用Keating模型计算了Si(1-χ)Geχ合金中Si-Si,Ge-Ge和Si-Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为0.1,0.5和0.9时,Si-Ge的振动拉曼频移分别为402.75,413.39和388.15 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Keating模型首次计算得到了非晶硅材料的单声子散射峰为477.029 cm-1,与文献实验结果480.0 cm-1相近,说明了非晶硅中原子的总体效果与晶体硅相比处于拉伸状态.

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