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Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

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苏海桥, 薛书文, 陈猛, 李志杰, 袁兆林, 付玉军, 祖小涛. 2009: Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响, 物理学报, 58(10): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.072
引用本文: 苏海桥, 薛书文, 陈猛, 李志杰, 袁兆林, 付玉军, 祖小涛. 2009: Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响, 物理学报, 58(10): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.072
shu
Su Hai-Qiao, Xue Shu-Wen, Chen Meng, Li Zhi-Jie, Yuan Zhao-Lin, Fu Yu-Jun, Zu Xiao-Tao. 2009: Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films, Acta Physica Sinica, 58(10): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.072
Citation: Su Hai-Qiao, Xue Shu-Wen, Chen Meng, Li Zhi-Jie, Yuan Zhao-Lin, Fu Yu-Jun, Zu Xiao-Tao. 2009: Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films, Acta Physica Sinica, 58(10): 7108-7113. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.072
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Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054

  • 湛江师范学院物理系,湛江,524048

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

Effects of Ti ion implantation and post-thermal annealing on the structural and optical properties of ZnS films

  • 摘要: 利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80 keV,剂量1×1017cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500-700℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500℃退火1 h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄膜发光强度随退火温度的上升而增强.
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出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

Ti离子注入和退火对ZnS薄膜结构和光学性质的影响

  • 电子科技大学应用物理系,成都,610054
  • 湛江师范学院物理系,湛江,524048
  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

摘要: 利用真空蒸发法在石英玻璃衬底上制备了ZnS薄膜,将能量80 keV,剂量1×1017cm-2的Ti离子注入到薄膜中,并将注入后的ZnS薄膜进行退火处理,退火温度500-700℃.利用X射线衍射(XRD)研究了薄膜结构的变化,利用光致发光(PL)和光吸收研究了薄膜光学性质的变化.XRD结果显示,衍射峰在500℃退火1 h后有一定程度的恢复;光吸收结果显示,离子注入后光吸收增强,随着退火温度的上升,光吸收逐渐降低,吸收边随着退火温度的提高发生蓝移;PL显示,薄膜发光强度随退火温度的上升而增强.

English Abstract

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