半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算

王亮; 张朝晖

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.079

物理学报

半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算

王亮, 张朝晖. 2009: 半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算, 物理学报, 58(10): 7147-7150. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.079

引用本文:

王亮, 张朝晖. 2009: 半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算, 物理学报, 58(10): 7147-7150. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.079

Wang Liang, Zhang Zhao-Hui. 2009: First-principles calculation on interaction between a semiconducting single-walled carbon nanotube and its graphite substrate, Acta Physica Sinica, 58(10): 7147-7150. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.079

Citation:

Wang Liang, Zhang Zhao-Hui. 2009: First-principles calculation on interaction between a semiconducting single-walled carbon nanotube and its graphite substrate, Acta Physica Sinica, 58(10): 7147-7150. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.079

半导体性单壁碳纳米管与其石墨衬底表面相互作用的第一性原理计算

王亮,
张朝晖

北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871

First-principles calculation on interaction between a semiconducting single-walled carbon nanotube and its graphite substrate

摘要: 利用基于密度泛函理论的计算方法,研究了处于石墨(HOPG)表面的半导体性单壁碳纳米管,发现碳纳米管下面的石墨受碳管的作用向下凹陷,而纳米管本身虽然保持其形状不变,但它的电子态受石墨衬底影响,造成导带下移,禁带宽度明显减小.
- 单壁碳纳米管 /
- 密度泛函理论 /
- 局域密度近似方法