高级搜索

碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

杨敏, 王六定, 陈国栋, 安博, 王益军, 刘光清. 2009: 碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究, 物理学报, 58(10): 7151-7155. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.080
引用本文: 杨敏, 王六定, 陈国栋, 安博, 王益军, 刘光清. 2009: 碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究, 物理学报, 58(10): 7151-7155. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.080
shu
Yang Min, Wang Liu-Ding, Chen Guo-Dong, An Bo, Wang Yi-Jun, Liu Guang-Qing. 2009: First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT, Acta Physica Sinica, 58(10): 7151-7155. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.080
Citation: Yang Min, Wang Liu-Ding, Chen Guo-Dong, An Bo, Wang Yi-Jun, Liu Guang-Qing. 2009: First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT, Acta Physica Sinica, 58(10): 7151-7155. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.080
shu

碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

  • 西北工业大学应用物理系,西安,710072

First-principles study on field emission of C-doped capped single-walled BNNT

  • 摘要: 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  402
  • HTML全文浏览数:  79
  • PDF下载数:  0
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2009-10-30

碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

  • 西北工业大学应用物理系,西安,710072

摘要: 运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回