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CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制

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张震, 江天, 程湘爱, 姜宗福. 2010: CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制, 强激光与粒子束, 22(7): 1505-1510. doi: 10.3788/HPLPB20102207.1505
引用本文: 张震, 江天, 程湘爱, 姜宗福. 2010: CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制, 强激光与粒子束, 22(7): 1505-1510. doi: 10.3788/HPLPB20102207.1505
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Zhang Zhen, Jiang Tian, Cheng Xiangai, Jiang Zongfu. 2010: Gap on crosstalk line about CCD crosstalk effect induced by intense light and its mechanism, High Power Lase and Particle Beams, 22(7): 1505-1510. doi: 10.3788/HPLPB20102207.1505
Citation: Zhang Zhen, Jiang Tian, Cheng Xiangai, Jiang Zongfu. 2010: Gap on crosstalk line about CCD crosstalk effect induced by intense light and its mechanism, High Power Lase and Particle Beams, 22(7): 1505-1510. doi: 10.3788/HPLPB20102207.1505
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CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制

  • 国防科学技术大学,光电科学与工程学院,长沙,410073

Gap on crosstalk line about CCD crosstalk effect induced by intense light and its mechanism

  • 摘要: 在激光辐照行间转移CCD相机的实验中发现了关于CCD串扰效应的一个新现象,即在串扰线上出现缺口,该缺口紧邻主光斑上侧且随光强增大而减小.基于行间转移面阵CCD的构造和工作过程,利用CCD串扰效应的一种新机制对现象作出了合理的解释.串扰线的形成依赖于在垂直转移动作过程中CCD信号积分势阱中的载流子向垂直转移CCD寄存器中的溢出.串扰线上缺口的出现则是由于CCD的信号积分势阱被读出转移动作清空后再次填满需要经过一定时间,该时间内无信号电荷溢出至转移沟道;读出转移清空存储势阱的时刻是构成主光斑的主体信号电荷按正常时序进入垂直转移CCD寄存器的时刻,故缺口紧邻主光斑的上侧;光强越大,光电子再次填满存储势阱乃至溢出形成串扰线所需要的时间越短,则缺口越小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-07-30

CCD强光串扰效应的串扰线缺口现象及其机制

  • 国防科学技术大学,光电科学与工程学院,长沙,410073

摘要: 在激光辐照行间转移CCD相机的实验中发现了关于CCD串扰效应的一个新现象,即在串扰线上出现缺口,该缺口紧邻主光斑上侧且随光强增大而减小.基于行间转移面阵CCD的构造和工作过程,利用CCD串扰效应的一种新机制对现象作出了合理的解释.串扰线的形成依赖于在垂直转移动作过程中CCD信号积分势阱中的载流子向垂直转移CCD寄存器中的溢出.串扰线上缺口的出现则是由于CCD的信号积分势阱被读出转移动作清空后再次填满需要经过一定时间,该时间内无信号电荷溢出至转移沟道;读出转移清空存储势阱的时刻是构成主光斑的主体信号电荷按正常时序进入垂直转移CCD寄存器的时刻,故缺口紧邻主光斑的上侧;光强越大,光电子再次填满存储势阱乃至溢出形成串扰线所需要的时间越短,则缺口越小.

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