10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应

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刘岩, 杨善潮, 林东生, 崔庆林, 陈伟, 龚建成, 王桂珍, 白小燕, 郭晓强. 2010: 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应, 强激光与粒子束, 22(9): 2186-2190. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2186
引用本文: 刘岩, 杨善潮, 林东生, 崔庆林, 陈伟, 龚建成, 王桂珍, 白小燕, 郭晓强. 2010: 10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应, 强激光与粒子束, 22(9): 2186-2190. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2186
Liu Yan, Yang Shanchao, Lin Dongsheng, Cui Qinglin, Chen Wei, Gong Jiancheng, Wang Guizhen, Bai Xiaoyan, Guo Xiaoqiang. 2010: Synergistic effect of neutron and gamma irradiation on 10-bit CMOS digital-to-analog converter, High Power Lase and Particle Beams, 22(9): 2186-2190. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2186
Citation: Liu Yan, Yang Shanchao, Lin Dongsheng, Cui Qinglin, Chen Wei, Gong Jiancheng, Wang Guizhen, Bai Xiaoyan, Guo Xiaoqiang. 2010: Synergistic effect of neutron and gamma irradiation on 10-bit CMOS digital-to-analog converter, High Power Lase and Particle Beams, 22(9): 2186-2190. doi: 10.3788/HPLPB20102209.2186

10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应

Synergistic effect of neutron and gamma irradiation on 10-bit CMOS digital-to-analog converter

  • 摘要: 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应.通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应.
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出版历程
  • 刊出日期:  2010-09-30

10位CMOS数模转换器在中子和γ混合环境下的综合辐射效应

  • 西北核技术研究所,西安,710024
  • 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060

摘要: 研究了在反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺10位数模转换器(DAC)的辐射效应.通过对DAC在γ辐射环境、中子辐射环境、中子和γ混合辐射环境以及中子预辐照后进行γ射线辐照下的效应对比发现,在中子和γ混合辐射环境下会产生电离总剂量效应加剧现象,即一定混合程度的中子和γ同时辐照会增强CMOS器件的辐射效应.

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