圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

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张雪, 王勇, 范俊杰, 张瑞, Zhang Rui. 2014: 圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟, 物理学报, null(22): 227901. doi: 10.7498/aps.63.227901
引用本文: 张雪, 王勇, 范俊杰, 张瑞, Zhang Rui. 2014: 圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟, 物理学报, null(22): 227901. doi: 10.7498/aps.63.227901
2014: Numerical simulation of multipactor phenomenon on the surface of cylinder window disk, Acta Physica Sinica, null(22): 227901. doi: 10.7498/aps.63.227901
Citation: 2014: Numerical simulation of multipactor phenomenon on the surface of cylinder window disk, Acta Physica Sinica, null(22): 227901. doi: 10.7498/aps.63.227901

圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

Numerical simulation of multipactor phenomenon on the surface of cylinder window disk

  • 摘要: 基于Monte Carlo模拟算法,建立了粒子输运模型,通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真,获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律。结果表明:在微波输入端,指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用,在电场强度较高的区域倍增剧烈,有质动力对倍增无贡献;在微波输出端,受背离窗片表面磁场力的影响,在表面静电场较弱的情况下,次级电子倍增不能发生;当表面静电场足以维持单面倍增的发生,随着传输功率的增大,电子渡越时间增长,有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域。对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证。
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-11-30

圆窗片表面次级电子倍增效应的数值模拟

  • 中国科学院电子学研究所,高功率微波源与技术重点实验室,北京 100190; 中国科学院大学,北京 100049
  • 中国科学院电子学研究所,高功率微波源与技术重点实验室,北京 100190
  • Key Laboratory of High Power Microwave Sources and Technologies, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

摘要: 基于Monte Carlo模拟算法,建立了粒子输运模型,通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真,获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律。结果表明:在微波输入端,指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用,在电场强度较高的区域倍增剧烈,有质动力对倍增无贡献;在微波输出端,受背离窗片表面磁场力的影响,在表面静电场较弱的情况下,次级电子倍增不能发生;当表面静电场足以维持单面倍增的发生,随着传输功率的增大,电子渡越时间增长,有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域。对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证。

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