刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

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张雪, 范俊杰, 王勇, Wang Yong. 2014: 刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制, 物理学报, null(22): 227902. doi: 10.7498/aps.63.227902
引用本文: 张雪, 范俊杰, 王勇, Wang Yong. 2014: 刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制, 物理学报, null(22): 227902. doi: 10.7498/aps.63.227902
2014: Suppression effect of p erio dic semicircle gro ove disk on multipactor, Acta Physica Sinica, null(22): 227902. doi: 10.7498/aps.63.227902
Citation: 2014: Suppression effect of p erio dic semicircle gro ove disk on multipactor, Acta Physica Sinica, null(22): 227902. doi: 10.7498/aps.63.227902

刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

Suppression effect of p erio dic semicircle gro ove disk on multipactor

  • 摘要: 为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构。通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应。利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度。讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响。该结构有望在高功率速调管中获得应用。
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-11-30

刻周期半圆弧槽窗片对次级电子倍增效应的抑制

  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京 100190; 中国科学院大学,北京 100149
  • 中国科学院电子学研究所,中国科学院高功率微波源与技术重点实验室,北京 100190
  • Key Laboratory of High Power Microwave Sources and Technologies, Institute of Electronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China

摘要: 为了抑制高功率盒形窗内的次级电子倍增效应,研究了一种刻周期半圆弧槽窗片结构。通过对槽内电场进行分析,证明了半圆弧状槽可以有效避免尖锐边界的局部场增强效应。利用蒙特卡罗随机算法对槽内的次级电子倍增效应进行数值模拟,跟踪次级电子的轨迹及发展趋势,获得了不同槽宽所对应的抑制次级电子倍增最低电场强度。讨论了法向电场对半圆弧槽抑制次级电子倍增的影响。该结构有望在高功率速调管中获得应用。

English Abstract

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