初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究

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胡兴健, 郑百林, 杨彪, 余金桂, 贺鹏飞, 岳珠峰. 2015: 初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究, 物理学报, null(7): 076201. doi: 10.7498/aps.64.076201
引用本文: 胡兴健, 郑百林, 杨彪, 余金桂, 贺鹏飞, 岳珠峰. 2015: 初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究, 物理学报, null(7): 076201. doi: 10.7498/aps.64.076201
Hu Xing-Jian, Zheng Bai-Lin, Yang Biao, Yu Jin-Gui, He Peng-Fei, Yue Zhu-Feng. 2015: Influence of initial indentation point on nanoindentation of Ni-based single crystal line alloys, Acta Physica Sinica, null(7): 076201. doi: 10.7498/aps.64.076201
Citation: Hu Xing-Jian, Zheng Bai-Lin, Yang Biao, Yu Jin-Gui, He Peng-Fei, Yue Zhu-Feng. 2015: Influence of initial indentation point on nanoindentation of Ni-based single crystal line alloys, Acta Physica Sinica, null(7): 076201. doi: 10.7498/aps.64.076201

初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究

Influence of initial indentation point on nanoindentation of Ni-based single crystal line alloys

  • 摘要: 针对Ni基单晶合金建立初始压入γ相的γ/γ′模型和初始压入γ′相的γ′/γ模型,采用分子动力学方法模拟金刚石压头压入两种模型的纳米压痕过程,计算两种模型[001]晶向硬度.采用中心对称参数分析两种模型(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:弛豫后,两种模型(001)相界面错配位错形式不同,其中γ′/γ模型(001)相界面错配位错以面角位错形式存在;压入深度在0.930 nm 之前,两种模型(001)相界面错配位错变化不大,压入载荷-压入深度及硬度-压入深度曲线较符合;压入深度在0.930 nm之后,γ′/γ模型(001)相界面错配位错长大很多,导致相同压入深度时γ′/γ模型比γ/γ′模型压入载荷和硬度计算结果小;压入深度在2.055 nm之后,γ/γ′模型(001)相界面错配位错对γ相中位错进入γ′相有阻碍作用,但仍有部分位错越过(001)相界面进入γ′相中,γ′/γ模型(001)相界面处面角位错对γ′相中位错进入γ相有更明显的阻碍作用,几乎无位错越过(001)相界面进入γ相中,面角位错的强化作用更明显,所以γ′/γ模型比γ/γ′模型压入载荷上升速度快.
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-04-15

初始压入位置对Ni基单晶合金纳米压痕影响研究

  • 同济大学应用力学研究所,上海,200092
  • 武汉理工大学机电工程学院,武汉,430070
  • 西北工业大学力学与土木建筑学院,西安,710072

摘要: 针对Ni基单晶合金建立初始压入γ相的γ/γ′模型和初始压入γ′相的γ′/γ模型,采用分子动力学方法模拟金刚石压头压入两种模型的纳米压痕过程,计算两种模型[001]晶向硬度.采用中心对称参数分析两种模型(001)相界面错配位错对纳米压痕过程的影响.结果显示:弛豫后,两种模型(001)相界面错配位错形式不同,其中γ′/γ模型(001)相界面错配位错以面角位错形式存在;压入深度在0.930 nm 之前,两种模型(001)相界面错配位错变化不大,压入载荷-压入深度及硬度-压入深度曲线较符合;压入深度在0.930 nm之后,γ′/γ模型(001)相界面错配位错长大很多,导致相同压入深度时γ′/γ模型比γ/γ′模型压入载荷和硬度计算结果小;压入深度在2.055 nm之后,γ/γ′模型(001)相界面错配位错对γ相中位错进入γ′相有阻碍作用,但仍有部分位错越过(001)相界面进入γ′相中,γ′/γ模型(001)相界面处面角位错对γ′相中位错进入γ相有更明显的阻碍作用,几乎无位错越过(001)相界面进入γ相中,面角位错的强化作用更明显,所以γ′/γ模型比γ/γ′模型压入载荷上升速度快.

English Abstract

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