MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

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周章渝, 肖寒, 王松, 傅兴华, 闫江. 2016: MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性, 物理学报, 65(18): 199-205. doi: 10.7498/aps.65.180301
引用本文: 周章渝, 肖寒, 王松, 傅兴华, 闫江. 2016: MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性, 物理学报, 65(18): 199-205. doi: 10.7498/aps.65.180301
Zhou Zhang-Yu, Xiao Han, Wang Song, Fu Xing-Hua, Yan Jiang. 2016: Preparation and DC characteristics of MgB2/B/MgB2 Josephson junctions, Acta Physica Sinica, 65(18): 199-205. doi: 10.7498/aps.65.180301
Citation: Zhou Zhang-Yu, Xiao Han, Wang Song, Fu Xing-Hua, Yan Jiang. 2016: Preparation and DC characteristics of MgB2/B/MgB2 Josephson junctions, Acta Physica Sinica, 65(18): 199-205. doi: 10.7498/aps.65.180301

MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

Preparation and DC characteristics of MgB2/B/MgB2 Josephson junctions

  • 摘要: 本文采用MgB2薄膜的混合物理化学气相沉积制备技术和金属掩膜版工艺,以B膜为势垒层在单晶A12O3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结.应用标准四引线法对该超导结的R-T曲线和不同温度下的直流I-V曲线进行了测量研究.实验结果表明,制作的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结超导开启温度为31.3 K,4.2 K时临界电流密度为0.52 A/cm2,通过对直流特性I-V曲线的微分拟合,清晰地观测到MgB2的3D带的能隙Aπ为2.13meV.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-09-30

MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

  • 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳 550025;中国科学院微电子研究所,北京 100029
  • 贵州民族大学化学与环境科学学院,贵阳,550025
  • 贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳,550025
  • 中国科学院微电子研究所,北京,100029

摘要: 本文采用MgB2薄膜的混合物理化学气相沉积制备技术和金属掩膜版工艺,以B膜为势垒层在单晶A12O3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结.应用标准四引线法对该超导结的R-T曲线和不同温度下的直流I-V曲线进行了测量研究.实验结果表明,制作的MgB2/B/MgB2约瑟夫森结超导开启温度为31.3 K,4.2 K时临界电流密度为0.52 A/cm2,通过对直流特性I-V曲线的微分拟合,清晰地观测到MgB2的3D带的能隙Aπ为2.13meV.

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