高级搜索

忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

刘汝新, 董瑞新, 闫循领, 肖夏. 2019: 忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性, 物理学报, 68(6): 232-238. doi: 10.7498/aps.68.20181836
引用本文: 刘汝新, 董瑞新, 闫循领, 肖夏. 2019: 忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性, 物理学报, 68(6): 232-238. doi: 10.7498/aps.68.20181836
shu
Liu Ru-Xin, Dong Rui-Xin, Yan Xun-Ling, Xiao Xia. 2019: Memory capacitance behavior at single resistance state in memristor and multi-state characteristic, Acta Physica Sinica, 68(6): 232-238. doi: 10.7498/aps.68.20181836
Citation: Liu Ru-Xin, Dong Rui-Xin, Yan Xun-Ling, Xiao Xia. 2019: Memory capacitance behavior at single resistance state in memristor and multi-state characteristic, Acta Physica Sinica, 68(6): 232-238. doi: 10.7498/aps.68.20181836
shu

忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性

  • 聊城大学物理科学与信息工程学院,山东省光通信科学与技术重点实验室,聊城252059

Memory capacitance behavior at single resistance state in memristor and multi-state characteristic

  • 摘要: 采用供体-受体类型的共聚物构建了Al/共聚物/ITO结构的有机记忆器件,并对其电流-电压(L叻和电容-电压(C-V)特性进行了研究.结果表明:器件不仅表现出明显的记忆电阻特征,而且在单个电阻状态下还存在记忆电容行为,使器件呈现出两种电阻状态和与之对应的四种电容状态,具有电阻和电容的双参量记忆能力.在此基础上对器件的电容开关行为进行了电压幅值的调制,使器件出现了更多的电容状态,为多级存储的实现提供了一条有效途径.最后通过引入分子内部极化算符,建立了记忆电阻和记忆电容的关联性,给出了描述器件双参量多状态特征的矩阵模型.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  346
  • HTML全文浏览数:  342
  • PDF下载数:  4
  • 施引文献:  0
出版历程

忆阻器单阻态下的记忆电容行为及多态特性

  • 聊城大学物理科学与信息工程学院,山东省光通信科学与技术重点实验室,聊城252059

摘要: 采用供体-受体类型的共聚物构建了Al/共聚物/ITO结构的有机记忆器件,并对其电流-电压(L叻和电容-电压(C-V)特性进行了研究.结果表明:器件不仅表现出明显的记忆电阻特征,而且在单个电阻状态下还存在记忆电容行为,使器件呈现出两种电阻状态和与之对应的四种电容状态,具有电阻和电容的双参量记忆能力.在此基础上对器件的电容开关行为进行了电压幅值的调制,使器件出现了更多的电容状态,为多级存储的实现提供了一条有效途径.最后通过引入分子内部极化算符,建立了记忆电阻和记忆电容的关联性,给出了描述器件双参量多状态特征的矩阵模型.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回