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氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析

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赵金宇, 杨剑群, 董磊, 李兴冀. 2019: 氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析, 物理学报, 68(6): 225-231. doi: 10.7498/aps.68.20181992
引用本文: 赵金宇, 杨剑群, 董磊, 李兴冀. 2019: 氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析, 物理学报, 68(6): 225-231. doi: 10.7498/aps.68.20181992
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Zhao Jin-Yu, Yang Jian-Qun, Dong Lei, Li Xing-Ji. 2019: Hydrogen soaking irradiation acceleration method: application to and damage mechanism analysis on 3DG111 transistors, Acta Physica Sinica, 68(6): 225-231. doi: 10.7498/aps.68.20181992
Citation: Zhao Jin-Yu, Yang Jian-Qun, Dong Lei, Li Xing-Ji. 2019: Hydrogen soaking irradiation acceleration method: application to and damage mechanism analysis on 3DG111 transistors, Acta Physica Sinica, 68(6): 225-231. doi: 10.7498/aps.68.20181992
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氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析

  • 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150001

Hydrogen soaking irradiation acceleration method: application to and damage mechanism analysis on 3DG111 transistors

  • 摘要: 本文以60Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段.
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出版历程

氢气浸泡辐照加速方法在3DG111器件上的应用及辐射损伤机理分析

  • 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨,150001

摘要: 本文以60Co为辐照源,针对3DG111型晶体管,利用半导体参数分析仪和深能级缺陷瞬态谱仪,研究高/低剂量率和有/无氢气浸泡条件下,电性能和深能级缺陷的演化规律.试验结果表明,与高剂量率辐照相比,低剂量率辐照条件下,3DG111型晶体管的电流增益退化更加严重,这说明该器件出现了明显的低剂量率增强效应;无论是高剂量率还是低剂量率辐照条件下,3DG111晶体管的辐射损伤缺陷均是氧化物正电荷和界面态陷阱,并且低剂量率条件下,缺陷能级较深;氢气浸泡后在高剂量率辐照条件下,与未进行氢气处理的器件相比,辐射损伤程度明显加剧,且与低剂量率辐照条件下器件的损伤程度相同,缺陷数量、种类及能级也相同.因此,氢气浸泡处理可以作为低剂量率辐射损伤增强效应加速评估方法的有效手段.

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