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二维半导体中的能谷电子学

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胡凯歌, 冯济. 2016: 二维半导体中的能谷电子学, 物理, 45(8): 494-504. doi: 10.7693/wl20160802
引用本文: 胡凯歌, 冯济. 2016: 二维半导体中的能谷电子学, 物理, 45(8): 494-504. doi: 10.7693/wl20160802
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HU Kai-Ge, FENG Ji. 2016: Valleytronics in two-dimensional semiconductors, Physics, 45(8): 494-504. doi: 10.7693/wl20160802
Citation: HU Kai-Ge, FENG Ji. 2016: Valleytronics in two-dimensional semiconductors, Physics, 45(8): 494-504. doi: 10.7693/wl20160802
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二维半导体中的能谷电子学

  • 北京大学物理学院 量子材料科学中心 量子物质科学协同创新中心 北京100871

Valleytronics in two-dimensional semiconductors

  • 摘要: 文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展.在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应,最后展望了能谷电子学的发展前景.
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出版历程
  • 刊出日期:  2016-08-12

二维半导体中的能谷电子学

  • 北京大学物理学院 量子材料科学中心 量子物质科学协同创新中心 北京100871

摘要: 文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展.在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应,最后展望了能谷电子学的发展前景.

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