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高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析

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唐利斌, 荣百炼, 姬荣斌. 2004: 高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析, 质谱学报, 25(z1): 17-18. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.009
引用本文: 唐利斌, 荣百炼, 姬荣斌. 2004: 高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析, 质谱学报, 25(z1): 17-18. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.009
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2004: Analysis of Impurities in High-purity Te by Glow Discharge Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(z1): 17-18. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.009
Citation: 2004: Analysis of Impurities in High-purity Te by Glow Discharge Mass Spectrometry, Journal of Chinese Mass Spectrometry Society, 25(z1): 17-18. doi: 10.3969/j.issn.1004-2997.2004.z1.009
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高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析

  • 昆明物理研究所红外材料研发中心,云南,昆明,650223

Analysis of Impurities in High-purity Te by Glow Discharge Mass Spectrometry

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出版历程
  • 刊出日期:  2004-12-30

高纯碲中杂质的辉光放电质谱分析

  • 昆明物理研究所红外材料研发中心,云南,昆明,650223

摘要: VG9000辉光放电质谱(GDMS)高的灵敏度和全元素覆盖的本领是其他分析手段无法比拟的,其检测限可达到10×10-15的量级,并且,VG9000 GDMS的一次分析即可得到包括常、微、痕、超痕量元素分析在内的全部测试结果.无疑,GDMS是高纯固体材料多元素分析的最强有力的手段之一.有研究表明:在其制备过程中有可能引入致命杂质.比如用垂直布里奇曼方法生长碲锌镉单晶[1],由于生长温度很高,石英容器中的Cu会向CZT中扩散,现已通过石英管内壁熏碳和镀BN的工艺有效地抑制了容器杂质的扩散[2].本工作拟对Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体主要的原材料Te中杂质进行辉光放电质谱测试,并对相关结果进行了讨论.

English Abstract

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