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新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展

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尹文龙, 康彬, 邓建国. 2014: 新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展, 强激光与粒子束, 26(7): 42-47. doi: 10.11884/HPLPB201426.071009
引用本文: 尹文龙, 康彬, 邓建国. 2014: 新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展, 强激光与粒子束, 26(7): 42-47. doi: 10.11884/HPLPB201426.071009
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Yin Wenlong, Kang Bin, Deng Jianguo. 2014: Research progress of new chalcogenides in mid-infrared nonlinear optical crystals, High Power Lase and Particle Beams, 26(7): 42-47. doi: 10.11884/HPLPB201426.071009
Citation: Yin Wenlong, Kang Bin, Deng Jianguo. 2014: Research progress of new chalcogenides in mid-infrared nonlinear optical crystals, High Power Lase and Particle Beams, 26(7): 42-47. doi: 10.11884/HPLPB201426.071009
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新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展

  • 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,四川绵阳621900

Research progress of new chalcogenides in mid-infrared nonlinear optical crystals

  • 摘要: 利用红外非线性光学晶体材料对已有的成熟的激光光源进行频率转换是获得3～5 μm和8～12μm“大气窗口”红外激光的主要方法.传统的红外非线性光学晶体存在缺陷,不能满足应用要求,需要探索新型的红外材料.综述了以硫族化合物为研究对象,寻找新型中红外非线性光学晶体材料的研究进展.介绍了LiMQ2(M=Ga,In;Q=S,Se,Te),BaGa4S7,BaGa4Se7,BaGa2MQ6(M=Si,Ge;Q=S,Se)及Li2 In2MQ6 (M=Si,Ge;Q=S,So)的研究进展.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-07-30

新型硫族化合物在中红外非线性光学晶体方面研究进展

  • 中国工程物理研究院化工材料研究所,四川绵阳621900;中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,四川绵阳621900

摘要: 利用红外非线性光学晶体材料对已有的成熟的激光光源进行频率转换是获得3～5 μm和8～12μm“大气窗口”红外激光的主要方法.传统的红外非线性光学晶体存在缺陷,不能满足应用要求,需要探索新型的红外材料.综述了以硫族化合物为研究对象,寻找新型中红外非线性光学晶体材料的研究进展.介绍了LiMQ2(M=Ga,In;Q=S,Se,Te),BaGa4S7,BaGa4Se7,BaGa2MQ6(M=Si,Ge;Q=S,Se)及Li2 In2MQ6 (M=Si,Ge;Q=S,So)的研究进展.

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