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太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

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曹小龙, 姚建铨, 袁偲, 赵晓蕾, 钟凯. 2013: 太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换, 强激光与粒子束, 25(9): 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
引用本文: 曹小龙, 姚建铨, 袁偲, 赵晓蕾, 钟凯. 2013: 太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换, 强激光与粒子束, 25(9): 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
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Cao Xiaolong, Yao Jianquan, Yuan Cai, Zhao Xiaolei, Zhong Kai. 2013: Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
Citation: Cao Xiaolong, Yao Jianquan, Yuan Cai, Zhao Xiaolei, Zhong Kai. 2013: Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2324-2328. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2324
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太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,天津300072;光电信息技术科学教育部重点实验室(天津大学),天津300072

Tunable resonant mode switch of split-ring resonators in terahertz regime

  • 摘要: 在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究.假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调.将砷化镓材料生长于该谐振环的开口处,通过光注入方式改变砷化镓材料的电导率,可以实现谐振环的双频LC共振和偶极子共振模式与单频闭合环共振模式之间的转换.这种通过光注入改变半导体材料电导率的方法,可以在不破坏原来谐振器件物理结构的前提下,实现谐振环谐振模式的可逆转换.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

太赫兹频段开口环谐振器的可调谐振模式转换

  • 天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,天津300072;光电信息技术科学教育部重点实验室(天津大学),天津300072

摘要: 在硅衬底上设计了一种单开口环谐振器,对其太赫兹频段内的透射性质进行了研究.假定通过光注入方式改变衬底硅的电导率,实现了谐振环的双谐振透射率可调.将砷化镓材料生长于该谐振环的开口处,通过光注入方式改变砷化镓材料的电导率,可以实现谐振环的双频LC共振和偶极子共振模式与单频闭合环共振模式之间的转换.这种通过光注入改变半导体材料电导率的方法,可以在不破坏原来谐振器件物理结构的前提下,实现谐振环谐振模式的可逆转换.

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