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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

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张晋新, 郭红霞, 文林, 郭旗, 崔江维, 范雪, 肖尧, 席善斌, 王信. 2013: 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟, 强激光与粒子束, 25(9): 2433-2438. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2433
引用本文: 张晋新, 郭红霞, 文林, 郭旗, 崔江维, 范雪, 肖尧, 席善斌, 王信. 2013: 锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟, 强激光与粒子束, 25(9): 2433-2438. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2433
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2013: Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2433-2438. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2433
Citation: 2013: Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test, High Power Lase and Particle Beams, 25(9): 2433-2438. doi: 10.3788/HPLPB20132509.2433
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锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院大学,北京100049

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;西北核技术研究所,西安710024

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011

  • 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054

  • 西北核技术研究所,西安,710024

Influencing factors of SiGe heterojunction bipolar transistor single-event effect in laser microbeam simulation test

  • 摘要: 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析.试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变.入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加；外加电压增大,电流脉冲的波峰增大；SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-09-30

锗硅异质结晶体管单粒子效应激光微束模拟

  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;中国科学院大学,北京100049
  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011;西北核技术研究所,西安710024
  • 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011
  • 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 西北核技术研究所,西安,710024

摘要: 对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行了单粒子效应激光微束辐照试验,观测SiGeHBT单粒子效应的敏感区域,测试不同外加电压和不同激光能量下SiGe HBT集电极瞬变电流和电荷收集情况,并结合器件结构对试验结果进行分析.试验结果表明:国产SiGe HBT位于集电极/衬底结内的区域对单粒子效应敏感,波长为1064 nm的激光在能量约为1.5nJ时诱发SiGe HBT单粒子效应,引起电流瞬变.入射激光能量增强,电流脉冲增大,电荷收集量增加；外加电压增大,电流脉冲的波峰增大；SiGe HBT的单粒子效应与外加电压大小和入射激光能量都相关,电压主要影响瞬变电流的峰值,而电荷收集量主要依赖于入射激光能量.

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