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GaAs光阴极高温热清洗

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肖德鑫, 李凯, 潘清. 2013: GaAs光阴极高温热清洗, 强激光与粒子束, 25(z1): 158-160.
引用本文: 肖德鑫, 李凯, 潘清. 2013: GaAs光阴极高温热清洗, 强激光与粒子束, 25(z1): 158-160.
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Xiao Dexin, Li Kai, Pan Qing. 2013: High-temperature thermal cleaning for GaAs photocathode, High Power Lase and Particle Beams, 25(z1): 158-160.
Citation: Xiao Dexin, Li Kai, Pan Qing. 2013: High-temperature thermal cleaning for GaAs photocathode, High Power Lase and Particle Beams, 25(z1): 158-160.
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GaAs光阴极高温热清洗

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

High-temperature thermal cleaning for GaAs photocathode

  • 摘要: GaAs光阴极在进行Cs-O激活前,激活层表面必须达到原子级洁净.最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法.然而,在热清洗过程中对处在真空系统中的光阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的.采用ANSYS软件对GaAs光阴极热清洗过程进行热分析,得到光阴极表面的温度分布,并讨论该温度分布情况下激活得到光阴极的量子效率分布.
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出版历程
  • 刊出日期:  2013-12-30

GaAs光阴极高温热清洗

  • 中国工程物理研究院应用电子学研究所,四川绵阳,621900

摘要: GaAs光阴极在进行Cs-O激活前,激活层表面必须达到原子级洁净.最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法.然而,在热清洗过程中对处在真空系统中的光阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的.采用ANSYS软件对GaAs光阴极热清洗过程进行热分析,得到光阴极表面的温度分布,并讨论该温度分布情况下激活得到光阴极的量子效率分布.

English Abstract

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